SWY2855介電常數和介質(zhì)損耗測試儀
SWY2855 介電常數和介質(zhì)損耗測試儀由Q表、測試裝置,電感器及標準介質(zhì)樣品組成,能對絕緣材料進(jìn)行高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
SWY2855介電常數和介質(zhì)損耗測試儀工作頻率范圍是10kHz~120MHz,它能完成工作頻率內材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。
本儀器中測試裝置是由平板電容器和測微圓筒線(xiàn)性電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數通過(guò)公式計算得到。同樣,由測微圓筒線(xiàn)性電容器的電容量讀數變化,通過(guò)公式計算得到介電常數。
1 特點(diǎn):
◎ 本公司**的自動(dòng)Q值保持技術(shù),使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(ε)變化的測試。
◎ 調諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數:Q值,測試頻率,調諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~70MHz(SWY2852D), 50kHz~160MHz(SWY2853D)測試信號。獨立信號 源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及IEC60250規范要求。
2 主要技術(shù)指標:
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
2.2 Q表
型號
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SWY2851D
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SWY2852D
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SWY2853D
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工作頻率范圍
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50kHz~50MHz
四位數顯,壓控振蕩器
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1kHz~70MHz
四位數顯,數字合成
精度:±50ppm
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50kHz~160MHz
四位數顯,數字合成
精度:±50ppm
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Q值測量范圍
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1~1000
三位數顯,±1Q分辨率
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1~1000
四位數顯,±0.1Q分辨率
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1~1000
四位數顯,±0.1Q分辨率
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可調電容范圍
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40~500 pF
ΔC±3pF
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40~500 pF
ΔC±3pF
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13~230 pF
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電容測量誤差
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±1%±1pF
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±1%±1pF
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±1%±0.5pF
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Q表殘余電感值
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約20nH
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約20nH
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約8nH
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2.3 介質(zhì)損耗裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸:
SWY916D:Φ38mm和Φ50mm二種.
SWY915:Φ38mm .
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率:
0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線(xiàn)性:
0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調范圍:
±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:
25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:
≤2.5×10-4
2.4 電感器:
按測試頻率要求,需要配置不同量的電感器。例如:在1MHz測試頻率時(shí),要配250μH電感器,在50MHz測試頻率時(shí),要配0.1μH電感器等。
2.5 高頻介質(zhì)樣品(選購件):
在現行高頻介質(zhì)材料檢定系統中,檢定部門(mén)為高頻介質(zhì)損耗測量?jì)x提供的測量標準是高頻標準介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍寶石,石英玻璃,氧化鋁陶瓷,聚四氟乙烯,環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm測試樣品。用戶(hù)可按需訂購,以保證測試裝置的重復性和準確性。
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